Некоторые научные работы Болотова Валерия Викторовича

1. V.V.Bolotov, V.A.Stuchinsky. "Observation of long-range electric drift of negatively charged vacancies in the space-charge regions of Au / n-Si Schottky diodes. " // J.Phys.: Condens. Matter, 1995, v. 7, p.7643-7649.

2. V.V.Bolotov, M.D.Efremov, V.A.Volodin, L.N.Fedina, E.A.Lipatnikov. "Eximer laser and RTA stimulation of solid phase nucleation and crystallization in amorphous silicon films on glass substrates." // J.Phys.: Condens. Matter. 8, 1996,pp. 273-286.

3. В.В.Болотов, А.В.Вишняков. "Насыщение положительного заряда в подзатворном окисле МОП-структур при облучении при криогенных температурах. " // Журн. техн. физики, 1996, т. 66, вып.10, стр. 145-154.

4. В.В.Болотов, В.М.Эмексузян, Г.Н.Камаев, Г.Н.Феофа-нов. "Структуры с блокированной прыжковой проводимостью на кремнии, легированном галлием, полученные гидрогенизацией в плазме водорода. "// ФТП, 1997, т. 31, вып. 3, стр. 311-317.

5. V.V.Bolotov, M.D.Efremov, V.A.Volodin, L.I.Fedina, A.A.Gutakovckij. "Raman and HREM observation of oriented silicon nanocrystals inside amorphous silicon films on glass substrates." // Sol. Stat Phen. V.57/58, 1997, p. 507-512.

6. V.V.Bolotov, M.D.Efremov, V.A.Volodin, S.A.Kochubei. "Raman scattering anisotropy in system of (110) oriented silicon nanocrystals formed in a-Si film."// Solid State Communications., v. 108, 1998, n 9, p. 645-648.

7. V.V.Bolotov, M.D.Efremov, V.A.Volodin, V.V.Preobrazhenskii, B.R.Semyagin, V.A.Sachkov. "Raman study of confined TO phonons in GaAs/AlAs superlattices grown on GaAs (311) A and B surfaces."// Superlattices and Microstructures, 1999, v. 26, No. 1, p. 11-16.

8. В.В.Болотов, М.Д.Ефремов, В.А.Володин, В.А.Сачков, В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин, Е.А.Галактионов, А.В.Кретинин. "Латеральная локализация оптических фонов в квантовых островках GaAs."//Письма ЖЭТФ, (1999), том 70, выпуск 2, стр. 73-79.

9. V.V.Bolotov, M.D.Efremov, V.A.Volodin, V.V.Preobrazhenskii, B.R.Semyagin, V.A.Sachkov. "Reconstruction of GaAs / AlAs (311) and (100) interfaces: Raman study."// Solid State Phenomena, Vols. 69-70 (1999) pp. 507-512.

10. В.В.Болотов, М.Д.Ефремов, В.А.Володин, В.А.Сачков, В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин, "Исследование методом комбинационного рассеяния света расщепления ТО фононов в сверхрешетках GaAs / AlAs выращенных на поверхностях (311). "// ФТП, 2000 №1.

Коллективные монографии

1. Беспалько А.А., Блинов В.И., Геринг Г.И., Савенко О.М. "Динамическая тарировка широкополосных пьезодатчиков давления."//ИФЖ, 1984, т. 17, №1, с. 166-167.(Деп. ВИНИТИ, рег. №572-84 Деп).

2. Беспалько А.А., Блинов В.И., Геринг Г.И. "Роль импульсов упругих напряжений в явлении хрупкого разрушения ионных кристаллов при электронном облучении."//ФТТ, 1984, т. 26, в.4, с. 1113- 1116.

3. Блинов В.И., Елисеев Н.А., Кайзер Ф.И."Роль термоупругости напряжений в явлении электронного разрушения ионных кристаллов."//Омск, 1986-23 с.-Рукопись депонированна ОмГУ. Деп. В ВИНИТИ 13 июля 1986, №3810-В86.

главная страница